RW1C015UNT2R

codice articolo del costruttore:	RW1C015UNT2R
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Schede tecniche:	RW1C015UNT2R Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WEMT
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666

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