IGT60R190D1SATMA1

codice articolo del costruttore:	IGT60R190D1SATMA1
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Schede tecniche:	IGT60R190D1SATMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	CoolGaN™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12.5A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	157 pF @ 400 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	55.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HSOF-8-3
Pacchetto / caso	8-PowerSFN

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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