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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / 2SK3700(F)

2SK3700(F)

codice articolo del costruttore: 2SK3700(F)
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie*
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 25 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(N)
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

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