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IR (Infineon Technologies) / IRF6708S2TR1PBF
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IRF6708S2TR1PBF
| codice articolo del costruttore: | IRF6708S2TR1PBF |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1 |
| Schede tecniche: | IRF6708S2TR1PBF Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- IR (Infineon Technologies) IRF6708S2TR1PBF è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | HEXFET® |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 30 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010 pF @ 15 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 20W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric S1 |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
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Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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