SI5857DU-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SI5857DU-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Schede tecniche:	SI5857DU-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	LITTLE FOOT®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 10 V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® ChipFet Dual
Pacchetto / caso	PowerPAK® ChipFET™ Dual

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