STH315N10F7-6

codice articolo del costruttore:	STH315N10F7-6
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Schede tecniche:	STH315N10F7-6 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12800 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	315W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	H2PAK-6
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 130

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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