IXFT320N10T2

codice articolo del costruttore:	IXFT320N10T2
Produttore:	Wickmann / Littelfuse
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 320A TO268
Schede tecniche:	IXFT320N10T2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	320A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	430 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	26000 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1000W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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