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STMicroelectronics / STB20NM60-1

STB20NM60-1

codice articolo del costruttore: STB20NM60-1
Produttore: STMicroelectronics
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Schede tecniche: STB20NM60-1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
STMicroelectronics STB20NM60-1 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieMDmesh™
PacchettoTube
Stato della parteObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 25 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)192W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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