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Rochester Electronics / IPB45N06S409ATMA2

IPB45N06S409ATMA2

codice articolo del costruttore: IPB45N06S409ATMA2
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Schede tecniche: IPB45N06S409ATMA2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 34µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3.785 pF @ 25 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)71W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 15000

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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