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IR (Infineon Technologies) / IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1

codice articolo del costruttore: IPD082N10N3GBTMA1
Produttore: IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Schede tecniche: IPD082N10N3GBTMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
IR (Infineon Technologies) IPD082N10N3GBTMA1 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieOptiMOS™
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3980 pF @ 50 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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