Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN22006NH,LQ
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TPN22006NH,LQ
| codice articolo del costruttore: | TPN22006NH,LQ |
| Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON |
| Schede tecniche: | TPN22006NH,LQ Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN22006NH,LQ è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
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Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 30 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Stato delle scorte: 993
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
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Calcolo del trasporto
US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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