Vishay / Siliconix / SI3445DV-T1-GE3
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SI3445DV-T1-GE3
| codice articolo del costruttore: | SI3445DV-T1-GE3 |
| Produttore: | Vishay / Siliconix |
| Parte della descrizione: | MOSFET P-CH 8V 6TSOP |
| Schede tecniche: | SI3445DV-T1-GE3 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Vishay / Siliconix SI3445DV-T1-GE3 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
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Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | TrenchFET® |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 8 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
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Calcolo del trasporto
US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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