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Vishay / Siliconix / SI4418DY-T1-E3

SI4418DY-T1-E3

codice articolo del costruttore: SI4418DY-T1-E3
Produttore: Vishay / Siliconix
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8SO
Schede tecniche: SI4418DY-T1-E3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieTrenchFET®
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteObsolete
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

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