SI4398DY-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SI4398DY-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
Schede tecniche:	SI4398DY-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5620 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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