SQ2364EES-T1_GE3

codice articolo del costruttore:	SQ2364EES-T1_GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Schede tecniche:	SQ2364EES-T1_GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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