SIR182DP-T1-RE3

codice articolo del costruttore:	SIR182DP-T1-RE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Schede tecniche:	SIR182DP-T1-RE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET® Gen IV
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3250 pF @ 30 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	69.4W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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