NDBA100N10BT4H

codice articolo del costruttore:	NDBA100N10BT4H
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Schede tecniche:	NDBA100N10BT4H Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NOTA: Rochester Electronics NDBA100N10BT4H è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.

Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.95 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 16071

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

Modelli popolari

	NDBA100N10BT4H Rochester Electronics
	NDBA180N10BT4H Rochester Electronics
	NDBA170N06AT4H Rochester Electronics

Questo articolo è stato aggiunto al tuo carrello.