IXFH66N20Q

codice articolo del costruttore:	IXFH66N20Q
Produttore:	Wickmann / Littelfuse
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 200V 66A TO247AD
Schede tecniche:	IXFH66N20Q Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	HiPerFET™
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3700 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

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