R6030ENZ1C9

codice articolo del costruttore:	R6030ENZ1C9
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Schede tecniche:	R6030ENZ1C9 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	120W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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