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codice articolo del costruttore: | RJK2057DPA-00#J0 |
Produttore: | Renesas Electronics America |
Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK |
Schede tecniche: | RJK2057DPA-00#J0 Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | - |
Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 200 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WPAK |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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