Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK31V60W,LVQ
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TK31V60W,LVQ
| codice articolo del costruttore: | TK31V60W,LVQ |
| Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN |
| Schede tecniche: | TK31V60W,LVQ Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
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| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | DTMOSIV |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30.8A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 15.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DFN-EP (8x8) |
| Pacchetto / caso | 4-VSFN Exposed Pad |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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