STB18NM60ND

codice articolo del costruttore:	STB18NM60ND
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Schede tecniche:	STB18NM60ND Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	FDmesh™ II
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1030 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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