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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NJVMJD112G

NJVMJD112G

codice articolo del costruttore: NJVMJD112G
Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Schede tecniche: NJVMJD112G Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)100 V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (max)20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max1.75 W
Frequenza - Transizione25MHz
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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