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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / NSB8JTHE3/45

NSB8JTHE3/45

codice articolo del costruttore: NSB8JTHE3/45
Produttore: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte della descrizione: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Schede tecniche: NSB8JTHE3/45 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTube
Stato della parteDiscontinued at Digi-Key
Tipo di diodoStandard
Tensione - DC inversa (Vr) (max)600 V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 8 A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10 µA @ 600 V
Capacità @ Vr, F55pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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